В статье рассмотрены основные принципы работы n-p-n и p-n-p переходов — основных элементов полупроводниковых устройств. Описано, как создается переход, каким образом он управляется, и какие материалы используются в его производстве.

Статья:

n-p-n и p-n-p переходы являются основными элементами, используемыми в полупроводниковых устройствах, таких как транзисторы, диоды, и другие. Выбор того или иного типа перехода зависит от технических характеристик устройства, для которого он предназначен.

Принцип работы n-p-n переходов заключается в следующем: приложение положительного напряжения к базе p-типа вызывает появление токового потока между эмиттером n-типа и коллектором n-типа. В этом случае электроны, находящиеся в базе p-типа, переносятся в коллектор n-типа, создавая токовый поток. Одновременно с этим происходит приложение обратного напряжения к коллектору n-типа, что приводит к созданию области сниженной концентрации электронов в этом слое, увеличивая тем самым силу поля на границе коллектор-база. Это увеличение поля увеличивает скорость диффузии электронов в базу p-типа.

Принцип работы p-n-p переходов противоположен принципу работы n-p-n переходов. Приложение положительного напряжения к базе n-типа позволяет перенести дырки из базы n-типа в эмиттер p-типа, увеличивая тем самым токовый поток. В этом случае обратное напряжение приложено к эмиттеру p-типа, что приводит к созданию области сниженной концентрации дырок в этом слое и увеличению силы поля на границе эмиттер-база.

Материал, используемый в n-p-n и p-n-p переходах, может быть разным. Например, для создания p-n-p перехода может использоваться германий или кремний, а для создания n-p-n перехода — галлий-арсенид или галлий-нитрид.

Таким образом, n-p-n и p-n-p переходы играют важную роль в полупроводниковой технике и используются в различных устройствах. Они оказывают важное влияние на электронику и позволяют создавать всё более компактные и функциональные полупроводниковые устройства.